[发明专利]一种高压LDMOS器件无效
| 申请号： | 201210210372.8 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102709325A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 乔明;向凡;温恒娟;何逸涛;周锌;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种高压LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规具有降场层结构的高压LDMOS器件结构基础上，通过提高第一导电类型半导体降场层3的浓度，减小第一导电类型半导体降场层3在器件宽度方向上的面积，即第一导电类型半导体降场层（3）在器件宽度方向上呈现不连续状态，中间周期性间隔着第二导电类型半导体电荷平衡区（16），在不连续的降场层3之间提供了额外的导电通道，增加了电流流动路径的面积，同时导电路径也相对较短；并且可以增加第二导电类型半导体电荷平衡区16的浓度，极大地降低器件导通电阻。与常规具有降场层的高压LDMOS器件相比，本发明导通电阻进一步降低并且并不额外占用芯片面积，本发明可应用于消费电子、显示驱动等多种产品中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种高压LDMOS器件，包括第一导电类型半导体衬底（1）、位于第一导电类型半导体衬底（1）表面的第二导电类型半导体漂移区（2）、位于第二导电类型半导体漂移区（2）顶部一侧的第二导电类型半导体漏区（10）、位于第二导电类型半导体漂移区（2）顶部另一侧的第一导电类型半导体体区（6），第一导电类型半导体体区（6）中具有第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）；器件表面与第二导电类型半导体漏区（10）接触的是漏极金属（15），与第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）接触的是源极金属（14），第一导电类型半导体体区（6）和部分第二导电类型半导体漂移区（2）表面是栅氧化层（8）、栅氧化层（8）表面是栅极（9），其余第二导电类型半导体漂移区（2）表面是场氧化层（7），源极金属（14）、栅极（9）和漏极金属（15）三者之间填充金属前介质（13）；所述第一导电类型半导体体区（6）与第一导电类型半导体衬底（1）之间还具有横向与第二导电类型半导体漂移区（2）接触的第一导电类型半导体埋层（4）；所述第二导电类型半导体漂移区（2）内部还具有第一导电类型半导体降场层（3）；所述第一导电类型半导体降场层（3）在器件宽度方向上呈现不连续状态，中间周期性间隔着第二导电类型半导体电荷平衡区（16）。
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