[发明专利]一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法无效
| 申请号： | 201210211640.8 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102732951A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 邱锋;吕英飞;胡淑红;郭建华;邓惠勇;戴宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B19/00 | 分类号： | C30B19/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法。该发明的特征是在外延层生长结束后，富镓砷化镓熔源，因快速冷却，导致其在室温下还处于熔体状态，为了溶源再次进行外延生长，熔体需要凝固，以便于液相外延生长中的取样或装样，此时只需添加微量镓溶剂，并沿顺时针或逆时针旋转搅动，伴随晶体生长提拉法的动作，使富镓砷化镓熔体凝固。本发明的优点是：采用以微量镓晶粒带动熔体运动而凝固的技术，操作过程无污染引入，且操作时间短，减少熔源、石墨舟和石英管腔体在空气中的暴露时间，大大缩短实验装载时间，减少材料装载过程中的非故意吸附，提高材料生长的纯度，为液相外延技术实现不凝固的富镓熔体材料生长提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 外延 用富镓 砷化镓熔体 凝固 方法 | ||
【主权项】：
一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法，其特征在于：将微量Ga薄片一端插进液态的富镓GaAs熔体中，以每秒0.5~1转的速度顺时针或逆时针搅动，随着熔体液态慢慢凝固，转动的区域半径慢慢变小，在搅动的同时采用单晶生长的提拉技术沿运动轴向向外拉出和插入，直至熔源全部凝固。
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