[发明专利]隔离结构、具有其的半导体器件及制造该隔离结构的方法有效
| 申请号： | 201210212313.4 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103011048A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 崔莹石;郑显泰;朴应烈;李多淳 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体的隔离结构、具有其的半导体器件以及制造所述隔离结构的方法。半导体器件的隔离结构可以包括形成在衬底中的沟槽、形成在所述沟槽的底表面和内侧壁上的氧化物层、形成在所述氧化物层上以填充所述沟槽的内部的一部分的填充物、以及填充所述沟槽的填充物的上部至高于所述沟槽的上表面的高度的第四氧化物层，在所述内侧壁与所述氧化物层之间的边界区域上形成有底切结构。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 具有 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的隔离结构，包括：形成在衬底中的沟槽；形成在所述沟槽的底表面和内侧壁上的氧化物层；形成在所述氧化物层上以填充所述沟槽的内部的一部分的填充物；以及填充所述沟槽的所述填充物的上部至高于所述沟槽的上表面的高度的第四氧化物层，在所述内侧壁与所述氧化物层之间的边界区域上形成有底切结构。
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