[发明专利]SRAM的读出电路有效
| 申请号： | 201210212874.4 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102708918A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王林;郑坚斌;吴守道 | 申请（专利权）人： | 苏州兆芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 安纪平 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种SRAM的读出电路，其包括放大电路模块，钳位电路模块，推挽电路模块，选择输出电路模块，输出电路模块；所述放大电路模块放大并输出SRAM阵列块中数据，包括灵敏放大器，灵敏放大器的SA输入端接灵敏放大器使能控制信号和灵敏放大器选择信号，两个SA输出端所在的第一PMOS管和第二PMOS管的漏极分别共接于第一、第二输出接点，所述钳位电路模块在有效信号来之前将第一、第二输出接点的电位拉伸至低电平，所述推挽电路模块将第一、第二输出接点的电位进行取相反的处理后选择输出；本发明SRAM的读出电路提高了电路的读取速度及电路的稳定性，缩小了电路的版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | sram 读出 电路 | ||
【主权项】：
一种SRAM的读出电路，其特征在于：包括：放大电路模块，用于分别对复数SRAM存储阵列块中的数据进行放大并输出至第一输出接点和第二输出接点；钳位电路模块，对所述第一输出接点和第二输出接点的电位在有效信号来之前拉伸至低电平；推挽电路模块，将所述第一输出接点和第二输出接点的电位进行取相反的处理；选择输出电路模块，选择将所述第一输出接点和第二输出接点的数据分别传送至全局位线上；输出电路模块，将全局位线上的数据进行选择输出；以及复数控制信号，控制所述模块的开启与断开，包括放大器选择信号，阵列放大器使能信号和阵列选择信号。
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