[发明专利]互连结构的形成方法无效
| 申请号： | 201210217264.3 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102751236A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 孔秋东;简中祥;杨熙 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层、以及形成于介质层中的通孔；通过化学气相沉积工艺在所述通孔底部和侧壁上沉积粘附层；进行加热处理；在所述通孔中的粘附层上沉积金属材料，直至填满所述通孔，形成金属互连线。本发明互连结构的形成方法在通孔中粘附层形成后，通过加热的方法使沉积粘附层产生的有机副产物和水蒸气挥发，避免有机副产物和水蒸气对后续通孔中金属材料的沉积造成影响，使在金属互连线中产生的空洞减小或消除，改善所形成互连结构的电学性能，提高包含所形成互连结构的半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层、以及形成于介质层中的通孔；通过化学气相沉积工艺在所述通孔底部和侧壁上沉积粘附层；进行加热处理；在所述通孔中的粘附层上沉积金属材料，直至填满所述通孔，形成金属互连线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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