[发明专利]非易失性存储器单元及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器单元及其制造方法。上述非易失性存储器单元包括一半导体基板；一浮动栅极，上述浮动栅极具有一尖端和一钝端，其中上述尖端嵌入上述半导体基板中；一控制栅极，设置于上述浮动栅极上；一穿隧氧化层，设置于上述浮动栅极与上述半导体基板之间；一多晶硅间介电膜，设置于上述浮动栅极与上述控制栅极之间。本发明的非易失性存储器单元可在相同的穿隧氧化层厚度条件下可大为提升存储器的程序化操作速度，或者本发明的非易失性存储器单元可以较小的操作电压完成程序化操作，且可以同时兼顾元件的可靠度。

主权项

一种非易失性存储器单元，包括：一半导体基板；一浮动栅极，该浮动栅极具有一尖端和一钝端，其中该尖端嵌入该半导体基板中；一控制栅极，设置于该浮动栅极上；一穿隧氧化层，设置于该浮动栅极与该半导体基板之间；以及一多晶硅间介电膜，设置于该浮动栅极与该控制栅极之间。