[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管有效

专利信息
申请号: 201210223163.7 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN102723367A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 陈红;邱勇;黄秀颀;魏朝刚 申请(专利权)人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/45;H01L29/47
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供的氧化物半导体薄膜晶体管,包括基板和顺次设置在所述基板上的栅电极、绝缘介质层以及氧化物半导体沟道层,所述绝缘介质层使得所述栅电极和所述氧化物半导体沟道层绝缘,所述氧化物半导体沟道层的上表面设置漏电极和源电极,所述漏电极和所述源电极之间的间隙为d1,所述源电极与所述栅电极在水平方向上的重叠区域的长度为d2,所述源电极与所述氧化物半导体沟道层间的接触是肖特基接触,所述漏电极与所述氧化物半导体沟道层间的接触是欧姆接触。本发明的氧化物半导体薄膜晶体管通过在较低载流子浓度下工作来提高了其工作稳定性。该类型氧化物半导体薄膜晶体管由于新的几何特征和工作原理所以受短沟道效应影响小,利于提高一致性。
搜索关键词: 一种 氧化物 半导体 薄膜晶体管
【主权项】:
一种氧化物半导体薄膜晶体管,包括基板(101)和顺次设置在所述基板(101)上的栅电极(102)、绝缘介质层(103)以及氧化物半导体沟道层(104),所述绝缘介质层(103)使得所述栅电极(102)和所述氧化物半导体沟道层(104)绝缘,所述氧化物半导体沟道层(104)的上表面设置漏电极(201)和源电极(202),所述漏电极(201)和所述源电极(202)之间的间隙为d1,所述源电极(202)与所述栅极(102)在水平方向上的重叠区域的长度为d2,所述源电极(202)与所述氧化物半导体沟道层(104)间的接触是肖特基接触,所述漏电极(201)与所述氧化物半导体沟道层(104)间的接触是欧姆接触。
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