[发明专利]一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210223170.7 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102751446A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 平山秀雄;邱勇;黄秀颀 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种封装薄膜，包括至少两个氧化物层和位于相邻所述氧化物层之间的至少一有机物层，在最内层的所述氧化物层和所述有机物层之间设置一缓冲层，所述缓冲层的厚度在50nm-1μm之间。由于在最内层的所述氧化物层和所述有机物层之间设置一缓冲层，并且所述缓冲层的厚度在50nm-1μm之间，因此，当采用溅射方式沉积最内层的氧化物层时，所述缓冲层会对所述溅射离子进行缓冲，不会使得所述溅射离子损伤光电子器件的阴极，提高了光电子器件的使用性能和水氧阻隔能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种封装薄膜，包括至少两个氧化物层（1）和位于相邻所述氧化物层（1）之间的至少一有机物层（2），其特征在于：在最内层的所述氧化物层（1）和所述有机物层（2）之间设置一缓冲层（3），所述缓冲层（3）的厚度在50nm‑1μm之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210223170.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
