[发明专利]基板处理装置无效
申请号: | 201210224073.X | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102891094A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 儿玉宗久;宫崎一仁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置,确保容易产生气雾的处理室的维护性,并提高室内的排气效率和排气能力的均一性。在吹洗室(R2)的室内排气机构(112)中,第一分隔板(114)配置于比上部双流体喷嘴(104U)高且比排气口(106、108)低的位置,将吹洗室(R2)的室内空间纵向分隔成上部空间(UR2)和下部空间(LR2)。此处,第一分隔板(114)与上游侧隔壁(86)之间形成沿着腔室宽度方向(Y)成一列延伸的两个狭缝开口(116、118)。另外,第二分隔板(124)将在第一分隔板(114)上扩散的上部空间(UR2)横向分隔成:在第一开口(116)与第一排气口(106)之间延伸的第一排气空间(120)、和在第二开口(118)与第二排气口(108)之间延伸的第二排气空间(122)。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,包括:平流搬运路径,其用来在水平的第一方向平流地搬运被处理基板;第一处理室,其容纳所述平流搬运路径的第一区间,且具有在所述平流搬运路径上搬运的所述基板能够通过的入口和出口;一个或多个第一喷嘴,其在所述第一处理室内,向所述平流搬运路径上的所述基板喷洒处理液;第一分隔板,其比所述第一喷嘴更位于上方,将所述第一处理室的室内空间纵向分隔成上部空间与下部空间;第一开口和第二开口,所述第一开口形成于所述第一分隔板与所述第一处理室的壁之间,所述第二开口形成于所述第一分隔板中;第二分隔板,其将所述第一处理室的上部空间横向分隔成:与所述第一开口连接的第一排气空间和与所述第二开口连接的第二排气空间;和排气部,其与所述第一排气空间和所述第二排气空间连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造