[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一基板；在基板表面上形成薄膜晶体管的栅极；在栅极和基板表面上淀积第一栅极绝缘层，并在栅极上方区域形成第一栅极绝缘层开口；在栅极和第一栅极绝缘层表面上淀积第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层表面上淀积半导体层，形成硅岛，且硅岛位于栅极上方区域；在硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积第二金属层，形成薄膜晶体管的源极和漏极。在需要减小栅极绝缘膜厚度的区域，栅极绝缘层的厚度为第二栅极绝缘层的厚度；在需要增加绝缘膜厚度的区域，栅极绝缘层的厚度为第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层厚度的叠加。可以避免驱动薄膜晶体管的集成电路输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟的问题。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板表面上淀积第一金属层，图案化所述第一金属层，形成薄膜晶体管的栅极；在所述栅极和基板表面上淀积第一栅极绝缘层，图案化所述第一栅极绝缘层，在栅极上方区域形成第一栅极绝缘层开口；在所述栅极和第一栅极绝缘层表面上淀积第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层表面上淀积半导体层，图案化所述半导体层，形成硅岛，且所述硅岛位于所述栅极上方区域；在所述硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积第二金属层，图案化所述第二金属层，形成薄膜晶体管的源极和漏极。