[发明专利]半导体元件与其制作方法在审
| 申请号： | 201210226417.0 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103515355A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郭建利;林永昌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件与其制作方法，该半导体元件包含有一基底，其具有一正面以及一背面，一层间介电层，覆盖于该基底的正面上，一掩模层，覆盖于该基底背面，一硅穿孔，贯穿该掩模层、该基底以及该层间介电层，其中该硅穿孔内，掩模层侧壁于水平方向突出该基底的侧壁，以及一衬垫层，位于该硅穿孔内的基底侧壁，且该衬垫层与该掩模层有部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包含:基底，具有正面以及背面；层间介电层，覆盖于该基底的正面上；掩模层，覆盖于该基底背面；硅穿孔电极，贯穿该掩模层、该基底以及该层间介电层，其中该硅穿孔电极内具有掩模层侧壁与基底侧壁，且该掩模层侧壁突出该基底侧壁预定长度；以及衬垫层，位于该硅穿孔电极内的该基底侧壁，且该衬垫层与该掩模层有部分重叠。
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