[发明专利]处理基板的设备和方法有效
| 申请号： | 201210227992.2 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102856234A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 郑恩先;金禹永;许瓒宁;朴正善 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 韩国忠淸南道天*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了处理基板的设备和方法，更具体地涉及使用超临界流体处理基板的设备和方法。该处理基板的设备包括：处理室，在所述处理室中，余留在基板上的有机溶剂使用被提供为超临界流体的流体溶解以干燥所述基板；和再生单元，有机溶剂在所述再生单元中与从处理室排出的流体分离以再生所述流体。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种处理基板的设备，所述设备包括：处理室，在所述处理室中使用被提供为超临界流体的流体溶解余留在基板上的有机溶剂以干燥所述基板；和再生单元，在所述再生单元中所述有机溶剂与从所述处理室排出的流体分离以再生所述流体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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