[发明专利]一种高密度ITO蒸镀靶材的制备方法

摘要

本发明涉及一种高密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其工艺步骤包括粉料准备、混合、掺脂、造粒、成型、脱脂和烧结，通过上述步骤，制备出高密度的ITO蒸镀靶材。采用本发明有利于常压或无压氧气气氛下烧结出高品质的高密度ITO蒸镀靶材；采用本发明可选择掺入多种功能的添加剂来改善成型能力和提高产品均匀性；采用本发明可显著降低烧结压力，提高烧结效率，降低生产成本和危险性；本发明易于实现连续化、规模化生产。

主权项

一种高密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于工艺步骤是：步骤一：根据成分配比要求，按照重量百分比为In2O3：90%～98%、SnO2：2%～10%制备不同平均粒径的氧化铟锡粉体，粉体的平均粒径D50为30～130nm，比表面积为3～20m2/g；步骤二：将步骤一获得的两种不同粒度分布的粉体进行湿式混合，混合12～30小时，再掺入添加剂，添加剂包括粘接剂、润滑剂、表面活性剂和分散剂，继续混合4～24小时，使有机物均匀包覆粉体；步骤三：将经步骤二处理的掺脂ITO粉，在80～120℃进行干燥、造粒处理；步骤四：将经步骤三处理的造粒ITO粉放入金属模具中预压成型，压力为60～140Mpa；步骤五：将经步骤四预压成型的素坯靶材进行冷等静压压制，压力为200～350Mpa；步骤六：将经步骤五成型的ITO素坯放入脱脂炉，在500～800℃下脱水排脂，保温4～48小时；步骤七：将经步骤六处理的脱脂ITO素坯放入烧结炉，在常压或无压氧气氛下进行烧结，温度为1400～1700℃，时间为10～72小时；通过上述步骤，制备出高密度的ITO蒸镀靶材。