[发明专利]一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法

摘要

本发明涉及一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，通过采用高活性、单分散的ITO纳米粉体作为原料，通过高温预烧制、掺脂、造粒处理，得到性能均匀的造粒ITO粉，再经过成型、脱脂处理后，在常压或无压的氧气气氛中烧结而成。本发明具有生产安全、低成本的优势，所制备的ITO蒸镀靶材能有效防止蒸镀中出现的破裂和喷溅现象，并且具有较好的均匀性和成膜特性。

主权项

一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法, 其特征在于工艺步骤是：步骤一:根据成分配比要求,按照In2O3：90%～98%，SnO2：2%～10%合成锡掺杂的氧化铟粉体，粉体的平均粒径D50为50～250nm，比表面积为3～20m2/g；    步骤二:将步骤一所述的ITO粉体置于煅烧炉内，在常压或无压氧气氛下进行预烧处理，温度为1300～1600℃，时间为3～16小时；    步骤三:将预烧的ITO粉体进行掺脂处理，掺入的有机物包括粘接剂、脱模剂和离型剂，使有机物均匀包覆粉体；步骤四:将掺脂ITO粉体在80～160℃进行干燥、造粒处理；步骤五:将造粒ITO粉体放入金属模具中预压成型，压力为40～100Mpa；步骤六:将成型的ITO素坯放入脱脂炉内，在500～800℃下脱水排脂肪，保温4～48小时；步骤七:将经步骤六处理后的脱脂ITO素坯放入烧结炉内，在常压或无压氧气氛下进行烧结，温度为1400～1650℃，时间为8～72小时；通过上述步骤，制备出低密度的ITO蒸镀靶材。