[发明专利]处理基板的设备和排放超临界流体的方法有效
| 申请号： | 201210228678.6 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102856162A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 崔龙贤;金基峰;金禹永;朴正善 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 韩国忠淸南道天*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种处理基板的设备和排放超临界流体的方法，尤其提供一种使用超临界流体来处理基板的设备和使用所述设备排放超临界流体的方法。所述处理基板的设备包括：提供超临界流体的容器；排出管线，所述超临界流体通过所述排出管线从所述容器排放出；和防冻单元，所述防冻单元设置在所示排出管线中，用来防止所述超临界流体冻结。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 设备 排放 临界 流体 方法 | ||
【主权项】：
一种处理基板的设备，所述设备包括：容器，所述容器用于提供超临界流体；排出管线，所述超临界流体通过所述排出管线从所述容器排放；和防冻单元，所述防冻单元设置在所述排出管线中，以防止所述超临界流体冻结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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