[发明专利]发光器件无效

专利信息
申请号: 201210229310.1 申请日: 2003-02-13
公开(公告)号: CN102760836A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 汤春龙;王忠忠
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的名称为发光器件。考虑到TFT衬底的制作步骤,彩色滤光器层是按照相同的对准精度制备的。然而,由于其耐热温度大约是200℃,不能承受TFT大约450℃的加工温度。将发光元件和TFT排列成矩阵形状而形成象素部,在一个半透明电极和一个不透明电极构成的一对电极之间形成发光元件的具有发光特性的有机化合物层,使对应着各个象素形成的彩色滤光器的彩色层接触到发光元件和TFT之间由无机或有机材料构成的平坦绝缘薄膜的平面,相邻彩色层的边界区与栅极信号线或用来向TFT发送信号的数据信号线有重叠,并且半透明电极与彩色层的内侧有重叠。
搜索关键词: 发光 器件
【主权项】:
一种发光器件,包括:衬底上的绝缘薄膜;所述绝缘薄膜上的彩色滤光器,所述彩色滤光器包括至少第一、第二和第三彩色层,其中所述第一彩色层位于所述第二和第三彩色层之间;所述第一彩色层上的第一电极;覆盖所述第一电极的端部的阻挡层;发光元件,包括发光层,所述发光层包括所述第一电极上的有机化合物;所述发光元件上的第二电极,其中形成相互相邻的彩色层的边界区,及其中所述边界区与所述阻挡层重叠。
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