[发明专利]一种掩膜版及套刻精度测量方法有效
| 申请号： | 201210230386.6 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102722082B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李钢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜版及套刻精度测量方法，采用相互独立的X标记和Y标记作为套刻标记，分列于图案区周围，从而缩小了外围区面积，即增大了图案区面积，进而增加了晶圆上优良芯片的数量，大大的提高了集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 精度 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：图案区及围绕所述图案区的外围区；所述外围区具有用于对准的多个X标记及多个Y标记，其中，所述X标记位于掩膜版的上方和下方，所述Y标记位于掩膜版的左侧和右侧，所述X标记和Y标记相互独立，所述X标记包括多个平行设置的纵向线段用于测量套刻精度在X方向的偏移，所述多个纵向线段的长度小于所述多个纵向线段的间距，所述Y标记包括多个平行设置的横向线段用于测量套刻精度在Y方向的偏移，所述多个横向线段的长度小于所述多个横向线段的间距。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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