[发明专利]一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法

摘要

本发明公开了一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，具体步骤包括：将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；抽真空，将石墨件逐步加热到1650℃-1700℃，缓慢降温，待热场温度≤100℃以下时拆炉；打开单晶炉炉体，待热场冷却后，取出各个石墨件；去除每个石墨件表面上的残余石英粉，并将每个石墨件表面清理干净即成。本发明的方法，通过SiC与石英粉在高温下的反应，能够延长石墨件的使用寿命15-30炉；适用于直拉单晶硅中使用的各个石墨件。

主权项

一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，其特征在于，具体按照以下操作步骤实施：步骤1、在单晶炉内安装石墨件1.1）将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，石英粉的粒径≤0.5mm，二氧化硅层的厚度为腐蚀层的1.2‑2倍；1.2）将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；步骤2、抽真空及加热闭合单晶炉，将单晶炉内抽真空，使单晶炉内压力≤20Pa；抽真空完毕后，验证泄漏率，要求泄漏率≤10Pa/小时；给定氩气流量为40‑80L/min进行压力化，此时单晶炉内压力达到399‑1330Pa，设定埚位为‑50；将石墨件逐步加热到1650℃‑1700℃，此时，石墨件腐蚀层与石英粉发生反应；缓慢降温，待热场温度≤100℃以下时拆炉；步骤3、将各个石墨件出炉验证单晶炉内的真空度及单晶炉炉体的泄漏率，要求真空度≤65Pa、泄漏率≤65Pa/小时，打开单晶炉炉体，待热场冷却1.5h后，取出各个石墨件；去除每个石墨件表面上的残余石英粉，并将每个石墨件表面清理干净即成。