[发明专利]MOS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210238234.0 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103545206A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王文博;卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS器件及其形成方法，所述MOS器件包括：衬底，所述衬底上具有栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底上的栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极；重掺杂区，位于栅极结构两侧的衬底内；反型区，位于栅极结构两侧的衬底内，且包围所述重掺杂区的底部和侧壁，所述反型区的掺杂离子与所述重掺杂区的掺杂离子导电类型相反。本发明提供的MOS器件及其形成方法有效提高了MOS器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底上的栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极；形成覆盖所述栅极结构以及栅极结构两侧衬底的光刻胶层；图案化所述光刻胶层，形成暴露出衬底中重掺杂区域的图案化光刻胶层；以所述图案化光刻胶层为掩模，刻蚀所述衬底，在栅极结构两侧的衬底内形成凹槽；继续以所述图案化光刻胶层为掩模，对凹槽的底部和侧壁进行离子注入，形成反型区；去除所述图案化光刻胶层；在所述凹槽中形成重掺杂区，所述重掺杂区的掺杂离子与反型区的掺杂离子导电类型相反。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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