[发明专利]处理系统有效
申请号: | 201210239469.1 | 申请日: | 2012-04-23 |
公开(公告)号: | CN102760649B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | F·佩雷斯-维拉德 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 吴艳 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种处理系统包括围绕在聚焦透镜和相互作用区域之间的束通道环形延伸的环形管道,特别是以圆环形的形式延伸;其中环形管道在面向相互作用区域的侧部上包括朝向相互作用区域的多个用于气体的出口;并且其中环形管道包括保持器装置,其配置成绕着枢轴枢转环形管道,其中该枢轴平行于物体保持器的倾斜轴。 | ||
搜索关键词: | 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种处理系统,包括:第一粒子束柱(3),其具有用于沿着第一粒子束的束通道将所述第一粒子束聚焦到相互作用区域(11)上的聚焦透镜(33);用于将物体(13)布置在所述相互作用区域(11)内的物体保持器(51),其中所述物体保持器(51)构造成相对于所述第一粒子束柱(3)绕着所述物体保持器(51)的倾斜轴(53)倾斜所述物体(13),其中所述倾斜轴(53)横向于所述第一粒子束的束通道定向;以及气体供应装置(15),其包括环形管道(63)和气体供应线路(65);其中所述气体供应线路(65)包含一端(66)和远端(75),并且在所述气体供应线路(65)的远端(75),所述气体供应线路(65)开口于所述环形管道(63)内,用于从气体储存器(74)供应气体(71)至所述环形管道(63);其中所述环形管道(63)在所述聚焦透镜(33)和所述相互作用区域(11)之间环形地围绕所述第一粒子束的束通道延伸;其中所述环形管道(63)在面对所述相互作用区域(11)的侧部上包括朝向相互作用区域的多个用于气体的出口(73);并且其中所述环形管道(63)包括保持器(81),其构造成绕着所述环形管道(63)的枢轴(83)枢转所述环形管道(63),其中所述枢轴(83)平行于所述物体保持器(51)的倾斜轴(53)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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