[发明专利]一种EEPROM擦写控制装置无效
| 申请号： | 201210241055.2 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102768859A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 陈高飞;沈梓荣;彭洪伟;邱红霞;苗书立 | 申请（专利权）人： | 深圳市锐能微科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于存储技术领域，提供了一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，所述装置还包括：作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元；分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接，管理所述EEPROM存储单元与SRAM缓冲单元之间映射关系，分发处理数据的缓存和擦写的存储映射控制器；以及与所述存储映射控制器电连接，监测电源掉电过程，在系统电源跌落到阈值范围以下时，向所述存储映射控制器发送预刷写信号的电源管理单元。本发明实现了对EEPROM存储单元的零延时访问，可以大幅提高EEPROM的擦写和编程次数，拓展EEPROM存储单元的擦写寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 eeprom 擦写 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，其特征在于，所述装置还包括：作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元；分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接，管理所述EEPROM存储单元与SRAM缓冲单元之间映射关系，分发处理数据的缓存和擦写的存储映射控制器；以及与所述存储映射控制器电连接，监测电源掉电过程，在系统电源跌落到阈值范围以下时，向所述存储映射控制器发送预刷写信号的电源管理单元。
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