[发明专利]一种基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备SOI衬底，在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，制备深槽隔离，形成集电极、基极以及发射极接触区，形成SiGe HBT器件；光刻PMOS器件有源区，在该有源区连续生长7层材料，制备漏极和栅极，形成PMOS器件；光刻NMOS器件有源区沟槽，在该有源区连续生长4层材料，制备栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件，光刻引线孔，合金，光刻引线，构成CMOS导电沟道为22～45nm的基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件及电路。本发明充分利用了应变Si材料迁移率各向异性的特点，在600～800℃，制备出了性能增强的混合晶面SOI BiCMOS集成电路。

主权项

一种基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件，其特征在于，所述双应变平面BiCMOS器件采用SOI SiGe HBT器件，应变Si平面沟道NMOS器件和应变Si垂直沟道PMOS器件。