[发明专利]一种应变SiGe回型沟道NMOS集成器件及制备方法有效
| 申请号： | 201210244375.3 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102751331A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣;宋建军;吕懿;王海栋;王斌;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于NMOS集成器件，提供了一种应变SiGe回型沟道NMOS集成器件，及用微米级工艺制备所述应变SiGe回型沟道NMOS集成器件的制备方法，所述制备方法过程为：在衬底上连续生长Si外延层、第一应变SiGe轻掺杂源漏区（LDD）层、应变SiGe层、第二应变SiGe轻掺杂源漏区（LDD）层和N型Si层；利用化学汽相淀积（CVD）、干法刻蚀等工艺手段形成漏区、源区和漏连接区，最终形成NMOS器件；光刻引线，构成NMOS集成电路。本发明在不追加任何资金和设备投入的情况下，在低温下制造出了较体Si NMOS性能提高的应变SiGe回型垂直沟道NMOS集成器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 sige 沟道 nmos 集成 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种应变SiGe回型垂直沟道NMOS集成器件，其特征在于，所述器件的导电沟道为回型，且沟道方向与衬底表面垂直。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210244375.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
