[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法有效
| 申请号： | 201210246652.4 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103545408A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 林雅雯;黄世晟;凃博闵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，其包括一基板、形成在该基板上的磊晶层以及分别形成在该磊晶层上的第一电极和第二电极，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，该第二半导体层的上端具有一非活性部，该第一电极形成在第一半导体层的表面，该第二电极形成在该非活性部的顶部且覆盖该非活性部。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，其包括：基板；形成在该基板上的磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，该第二半导体层的顶端具有一非活性部；分别形成在该磊晶层上的第一电极和第二电极，该第一电极形成在第一半导体层的表面，该第二电极形成在该非活性部的顶部且覆盖该非活性部。
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