[发明专利]一种变形槽栅介质的CSTBT器件无效
| 申请号： | 201210248741.2 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102779842A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;李巍;陈伟中;李长安;张金平;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种变形槽栅介质的CSTBT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT器件的基础上，改变槽内沟道区下方，即P型基区（5）下方栅介质层（7）的形状，使沟槽底部的多晶硅栅极12被更多的栅介质层7所包围，在基本不影响器件其他参数的情况下，可极大程度的提高器件的击穿电压，能更好的实现击穿电压与导通压降的折中关系，进一步优器件的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 变形 介质 cstbt 器件 | ||
【主权项】：
一种变形槽栅介质的CSTBT器件，其元胞结构包括金属有源发射极（1）、金属栅电极（2）、金属集电极（3）、N+有源区（4）、P型基区（5）、P+体区（6）、栅介质层（7）、N型载流子存储层（8）、N‑漂移区（9）、N+电场终止层（10）、P+集电区（11）和多晶硅栅极（12）；金属化集电极（3）位于P+集电区（11）的背面，N+电场终止层（10）位于P+集电区（11）的正面，N‑漂移区（9）在N+电场终止层（10）的上方；N+有源区（4）和P+体区（6）相互接触且并排位于金属有源发射极（1）的下方并与金属有源发射极（1）相连；P型基区（5）位于N+有源区（4）和体P+区（6）的下方，N型载流子存储层（8）位于P型基区（5）和N‑漂移区（9）之间；栅极结构为沟槽型栅，包括金属栅电极（2）、栅介质层（7）和多晶硅栅极12，多晶硅栅极（12）向下穿过N+有源区（4）、P型基区（5）和N型载流子存储层（8）并延伸入N‑漂移区（9），多晶硅栅极（12）的上表面与金属栅电极（2）相连，多晶硅栅极12的侧面及地面被栅介质层（7）包围，栅介质层（7）的侧壁分别与N+有源区（4）、P型基区（5）、N型载流子存储层（8）和N‑漂移区（9）接触；其特征在于，所述P型基区（5）下方的栅介质层（7）的侧壁以及底部的厚度大于P型基区（5）以上的栅介质层（7）的侧壁的厚度。
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