[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201210249340.9 | 申请日： | 2009-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102751413A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 丁换熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件。该半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层的发光结构；在所述发光结构上的具有突起的沟道层；在所述发光结构和所述沟道层上的电极层；在所述电极层上的支撑构件；和在所述发光结构下的电极，其中所述电极的一部分与所述第二导电半导体层接触，其中所述沟道层的所述突起设置在所述发光结构和所述支撑构件之间并与所述第二导电半导体层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层的发光结构；在所述发光结构上的具有突起的沟道层；在所述发光结构和所述沟道层上的电极层；在所述电极层上的支撑构件；和在所述发光结构下的电极，其中所述电极层的一部分与所述第二导电半导体层接触，其中所述沟道层的所述突起设置在所述发光结构和所述支撑构件之间并与所述第二导电半导体层接触。
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