[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置无效
| 申请号： | 201210254749.X | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102790096A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 刘政;龙春平;任章淳 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/336;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够当过孔刻蚀工艺在源极、漏极区域上方形成过孔时，不破坏有源层。本发明的薄膜晶体管，包括基板，设置于所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，其特征在于，还包括：设置于所述有源层上的导电刻蚀阻挡层；所述导电刻蚀阻挡层的位置与所述有源层的源极、漏极区域相对应，在所述有源层的源极、漏极区域上方形成有过孔，且该过孔不超过所述导电刻蚀阻挡层的边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括基板，设置于所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，其特征在于，还包括：设置于所述有源层上的导电刻蚀阻挡层；所述导电刻蚀阻挡层的位置与所述有源层的源极、漏极区域相对应，在所述有源层的源极、漏极区域上方形成有过孔，且该过孔不超过所述导电刻蚀阻挡层的边缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210254749.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：拆装式狗笼
- 下一篇：CMOS晶体管的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
