[发明专利]TFT制造方法、显示器件的制造方法及显示器件、显示装置在审
| 申请号： | 201210258621.0 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103578990A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 许睿;黎蔚 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 王黎延;周义刚 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)制造方法，包括：形成源极层，对源极层进行光刻形成源极；及沉积漏极层，该漏极层的材料与源极层的材料不同，对漏极层进行光刻形成漏极；或者，形成漏极层，对漏极层进行光刻形成漏极；及沉积源极层，该源极层的材料与漏极层不同，对源极层进行光刻形成源极。本发明还相应地公开了一种显示器件的制造方法及显示器件、显示装置。由于本发明的源极和漏极形成于不同层，因此，本发明能在不影响TFT沟道形成的前提下尽量减小TFT沟道的长度，进而提高显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | tft 制造 方法 显示 器件 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：形成源极层，对源极层进行光刻形成源极；及沉积漏极层，该漏极层的材料与源极层的材料不同，对漏极层进行光刻形成漏极；或者，形成漏极层，对漏极层进行光刻形成漏极；及沉积源极层，该源极层的材料与漏极层不同，对源极层进行光刻形成源极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210258621.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件的制造方法
- 下一篇：一种高能量离子注入后的去胶方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
