[发明专利]半导体基板及其制法有效
| 申请号： | 201210260164.9 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103579160A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 卢俊宏;袁宗德;马光华 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体基板及其制法，该半导体基板包括板体、嵌设于该板体中的多个导电柱、形成于该板体上的第一介电层、形成于该第一介电层上的金属层以及形成于该金属层上的第二介电层。借由在该板体的一侧的介电层中形成金属层，当该第二介电层上接置封装基板时，该金属层能提供一反向应力，以平衡该第一与第二介电层所造成的热应力，而能避免该半导体基板发生翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，其包括：板体，其具有相对的第一与第二表面；多个导电柱，其嵌设于该板体中，该导电柱具有相对的第一与第二端面，该导电柱的第一端面外露出该板体的第一表面，而该导电柱的第二端面凸伸出该板体的第二表面；第一介电层，其形成于该板体的第二表面上；金属层，其形成于该第一介电层上；以及第二介电层，其形成于该金属层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司，未经矽品精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210260164.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
