[发明专利]多栅极场效晶体管及其制作工艺在审
| 申请号： | 201210260669.5 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103579335A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 傅思逸;刘恩铨;杨智伟;陈映璁;蔡世鸿 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多栅极场效晶体管及其制作工艺，包含有一基底、一介电层以及至少一鳍状结构。基底具有一第一区以及一第二区。介电层仅位于第一区中的基底中。至少一鳍状结构位于介电层上。此外，本发明也提供一种多栅极场效晶体管制作工艺用以形成前述的多栅极场效晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 晶体管 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种多栅极场效晶体管，包含有：基底，具有第一区以及第二区；介电层，仅位于该第一区中的该基底中；以及至少一鳍状结构，位于该介电层上。
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