[发明专利]制造包括位于支撑衬底上的功能化层的半导体结构的工艺

摘要

制造包括位于支撑衬底上的功能化层的半导体结构的工艺。本发明涉及一种制造包括位于支撑衬底（3）上的第一功能化层（4）的半导体结构（1）的工艺，所述工艺包括以下步骤：（a）在源衬底（2）中注入离子物质，所述源衬底（2）包括：所述功能化层（4）和相对于注入方向位于所述功能化层（4）下面的牺牲缓冲层（5），所述离子物质被注入到限制源衬底（2）的包括缓冲层（5）的至少一部分和功能化层（4）的上部（20）的厚度的深度；（b）将源衬底（2）接合到支撑衬底（3）；（c）使所述源衬底（2）破裂并且向支撑衬底（3）传递源衬底（2）的上部（20）；（d）通过相对于功能化层（4）的选择性蚀刻去除缓冲层（5）。

主权项

一种制造包括位于支撑衬底（3）上的第一功能化层（4）的半导体结构（1）的工艺，所述工艺包括以下步骤：（a）在源衬底（2）中注入离子物质，所述源衬底（2）包括：‑所述第一功能化层（4），所述第一功能化层（4）包括位于表面的第一金属导电电极（7a），‑牺牲缓冲层（5），该牺牲缓冲层（5）相对于注入方向位于所述第一功能化层（4）下面，所述离子物质被以限制所述源衬底（2）的上部（20）的厚度的深度注入，所述上部（20）包括所述牺牲缓冲层（5）的至少一部分、所述第一金属导电电极（7a）和所述第一功能化层（4），（b）提供包括第二功能化层（6）的支撑衬底（3），所述第二功能化层（6）包括位于表面的第二金属导电电极（7b）；（c）将所述源衬底（2）接合到所述支撑衬底（3），所述第一金属电极（7a）和所述第二金属电极（7b）位于接合界面（203）；（d）使所述源衬底（2）破裂并且将所述源衬底（2）的所述上部（20）从所述源衬底（2）传递到所述支撑衬底（3）；（e）通过相对于所述功能化层（4）的选择性蚀刻去除所述牺牲缓冲层（5）。