[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210265597.3 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102768990A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 曹占锋;童晓阳;姚琪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板制作方法，涉及显示技术领域，包括以下步骤：S1：在绝缘基板上形成包括栅极和栅线的图形；S2：在经过步骤S1之后的基板上形成栅绝缘层、有源层图形、源/漏极图形和数据线图形；S3：在经过步骤S2之后的基板上通过一次mask形成钝化层图形及像素电极图形，使所述像素电极图形与所述源/漏极图形接触，且覆盖在所述栅绝缘层上。还公开了一种阵列基板和显示装置。本发明的阵列基板制作方法仅使用三次mask，且只使用了一次灰度掩模技术，降低了成本，提高了良品率；本发明方法制作的阵列基板的像素电极直接位于栅极绝缘层之上，因此这种阵列基板结构有利于提高透过率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在绝缘基板上形成包括栅极和栅线的图形；S2：在经过步骤S1之后的基板上形成栅绝缘层、有源层图形、源/漏极图形和数据线图形；S3：在经过步骤S2之后的基板上通过一次mask形成钝化层图形及像素电极图形，使所述像素电极图形与所述源/漏极图形接触，且覆盖在所述栅绝缘层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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