[发明专利]一种过欠压保护电路

摘要

本发明涉及一种电子电路，特别是指对电压检测，对过电压和欠电压进行保护的电路。本发明采用以下技术方案：一种过欠压保护电路，其特征在于：包括有全波整流电路单元、脱扣电路单元和驱动电路单元，脱扣电路单元由脱扣线圈L1、可控硅Q1和二极管D2串联构成，驱动电路单元包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压管ZD1、三极管Q2和二极管D7。通过采用上述方案，本发明的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种可以将电快速瞬变脉冲群试验提高到4kV以上，浪涌试验提高到差模4kV，共模5KV以上的新型的过欠压保护电路。

主权项

一种过欠压保护电路，其特征在于：包括有全波整流电路单元、脱扣电路单元和驱动电路单元，脱扣电路单元由脱扣线圈L1、可控硅Q1和二极管D2串联构成，驱动电路单元包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压管ZD1、三极管Q2和二极管D7，其中电阻R1一端接全波整流电路单元的阴极，电阻R1另一端与电阻R3连接，电阻R3另一端接GND，稳压管ZD1阴极接于电阻R1和电阻R3的结点，阳极接于可控硅Q1门极，电阻R2一端接于全波整流电路单元的阴极，另一端接于三极管Q2发射极，三极管Q2基极经电阻R4接于电阻器R1和电阻器R3的结点，集电极经电阻R5接于GND，二极管D7阳极接于晶体管Q2集电极，阴极接于可控硅Q1门极。