[发明专利]Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210271357.4 | 申请日: | 2012-08-01 |
公开(公告)号: | CN102817008A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 周飞;王谦之;付俊兴 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/44 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 曹翠珍 |
地址: | 210016*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种Ag、Ti共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将清洗吹干的基材装夹在载物台上,正对离子束源;(2)Ar+离子束轰击基材,清洗和活化基材;(3)通入包含碳源气体和氩气的混合气体,采用Ag/Ti合金靶,固定或者旋转载物台在基材上制备Ag、Ti共掺杂的DLC薄膜。本发明制备出的Ag、Ti共掺杂DLC薄膜,降低DLC薄膜的内应力,提高膜基结合力、薄膜韧性从而改善DLC薄膜的摩擦学及抗腐蚀性能。同时这种方法可以方便的调节Ag、Ti的掺杂量,提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | ag ti 掺杂 dlc 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1) 将清洗吹干的基材装夹在载物台上,正对离子束源;2) Ar+离子束轰击基材,清洗和活化基材;3) 通入包含碳源气体和氩气的混合气体,采用Ag/Ti合金靶,固定或者旋转载物台在基材上制备Ag、Ti共掺杂的DLC薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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