[发明专利]非易失性半导体存储器装置及其写入方法有效
| 申请号： | 201210272156.6 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103198862A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 妹尾真言;荒川秀贵;白田理一郎 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器装置及其写入方法。该非易失性半导体存储器装置包括：一非易失性的存储器单元阵列；以及一控制电路，用以控制该存储器单元阵列的写入。在擦除已写入存储器单元的数据的擦除处理之前或之后，上述控制电路检测写入至上述存储器单元阵列时的写入速度，决定每区块或每字线的对应该写入速度的写入开始电压，存储上述所决定的写入开始电压于上述存储器单元阵列，以及从上述存储器单元阵列读出写入开始电压以写入预定数据。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 装置 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器装置，包括：一非易失性的存储器单元阵列；以及一控制电路，用以控制该存储器单元阵列的写入；其中在擦除已写入存储器单元的数据的擦除处理之前或之后，上述控制电路检测写入至上述存储器单元阵列时的写入速度，决定每区块或每字线的对应该写入速度的写入开始电压，存储上述所决定的写入开始电压于上述存储器单元阵列，以及从上述存储器单元阵列读出写入开始电压以写入预定数据。
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