[发明专利]封装基板及其制作方法、芯片封装结构及芯片封装体制作方法无效
申请号: | 201210272752.4 | 申请日: | 2012-08-02 |
公开(公告)号: | CN103579009A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 胡竹青;许诗滨;周鄂东 | 申请(专利权)人: | 富葵精密组件(深圳)有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/488;H01L23/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518103 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种封装基板,其包括铜箔基板、溅镀铜层、多个导电接点、介电层及导电线路层,所述溅镀铜层形成于所述铜箔基板表面,所述多个导电接点形成于所述溅镀铜层远离所述铜箔基板的表面,所述介电层位于所述导电线路层合所述溅镀铜层之间,所述介电层内形成有与多个导电接点一一对应的多个导电盲孔,所述导电线路层包括与多个导电盲孔一一电导通的多条导电线路及与所述多条导电线路一一电连接的多个连接垫,每个导电接点通过一个对应的导电盲孔、一条对应的导电线路与一个对应的连接垫相互电导通。本发明还提供该封装基板的制作方法及封装结构及芯片封装体制作方法。 | ||
搜索关键词: | 封装 及其 制作方法 芯片 结构 体制 方法 | ||
【主权项】:
一种封装基板的制作方法,包括步骤:提供第一铜箔基板、胶片及第二铜箔基板,并将胶片压合在第一铜箔基板与第二铜箔基板之间得到承载基板,所述承载基板具有相对的第一表面和第二表面;在所述第一表面形成第一溅镀铜层,在所述第二表面形成第二溅镀铜层;在所述第一溅镀铜层上电镀形成多个第一导电接点,在所述第二溅镀铜层上电镀形成多个第二导电接点;在所述多个第一导电接点及第一溅镀铜层上压合第一介电层及第一导电层,在多个所述第二导电接点及第二溅镀铜层上压合第二介电层及第二导电层;在第一介电层及第一导电层内形成与多个第一导电接点一一对应的多个第一导电盲孔,并将第一导电层制作形成第一导电线路层,所述第一导电线路层包括与多个第一导电盲孔一一电导通的多条第一导电线路及与所述多条第一导电线路一一电连接的多个第一连接垫,使得每个第一导电接点通过一个对应的第一导电盲孔、一条对应的第一导电线路与一个对应的第一连接垫相互电导通,在第二介电层及第二导电层内形成多个第二导电盲孔,并将第二导电层制作形成多根第二导电线路及多个第二连接垫,每个第二导电接点通过对应的第二导电盲孔及第二导电线路与第二连接垫相互电导通,从而获得多层基板;以及在第一铜箔基板及第二铜箔基板之间对所述多层基板进行分割,并去除第一铜箔基板与第二铜箔基板之间的胶片,从而得到两个相互分离的封装基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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