[发明专利]液晶显示装置用阵列基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201210276332.3 申请日: 2012-08-03
公开(公告)号: CN102983101A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 李铉奎;李石;李恩远;郑敬燮;金镇成;田玹守 申请(专利权)人: 东友FINE-CHEM股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L21/48;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 孟桂超;张颖玲
地址: 韩国全*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法,包括步骤:a)在基板上形成栅极;b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层;c)在所述栅绝缘层上形成半导体层;d)在所述半导体层上形成源极/漏极;以及e)形成与所述漏极连接的像素电极;其中,所述步骤a)包括:在所述基板上形成铜基金属膜,铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜,或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜;通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成栅极;所述步骤d)包括:在半导体层上形成铜基金属膜,铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜,或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜;通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成源极/漏极。
搜索关键词: 液晶 显示装置 阵列 制造 方法
【主权项】:
一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法,包括步骤:a)在基板上形成栅极;b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层;c)在所述栅绝缘层上形成半导体层;d)在所述半导体层上形成源极/漏极;以及e)形成与所述漏极连接的像素电极;所述方法的特征在于,所述步骤a)包括:在所述基板上形成铜基金属膜,铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜,或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜;使用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜,所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜,或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜,从而形成所述栅极;所述步骤d)包括:在所述半导体层上形成铜基金属膜,铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜,或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜;使用所述蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属膜,所述铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜,或所述铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜,从而形成所述源极/漏极;且所述蚀刻剂组合物,基于所述组合物的总重量,包含:A)5.0至25.0重量%的过氧化氢(H2O2);B)0.01至1.0重量%的含氟化合物;C)0.1至5.0重量%的唑化合物;D)0.5至4.0重量%的选自由无机酸、磺酸、草酸或其盐,以及有机过酸组成的组中的一种或多种;以及E)余量为水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东友FINE-CHEM股份有限公司,未经东友FINE-CHEM股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210276332.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top