[发明专利]缺陷密度计算方法有效
| 申请号： | 201210277071.7 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103579035A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种缺陷密度计算方法，包括以下步骤：S1、计算晶圆生产线上芯片的产品良率Wafer Yield；S2、计算所述产品单个芯片的面积DieArea；S3、根据器件测试项目系数Device Test Bin、光刻系数Litho Coefficient和工艺技术系数Technology Coefficient计算所述产品的芯片制造过程的复杂度系数N；S4、根据芯片的产品良率Wafer Yield、面积Die Area及复杂度系数N计算缺陷密度D0。本发明通过器件测试项目系数B、光刻系数L和工艺技术系数T计算复杂度系数N，通过修正后的N计算缺陷密度大小，减小了缺陷密度与实际晶圆制程能力的误差，同时该计算方法及工艺流程不会产生额外的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 密度 计算方法 | ||
【主权项】：
一种缺陷密度计算方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、计算晶圆生产线上芯片的产品良率Wafer Yield；S2、计算所述产品单个芯片的面积Die Area；S3、根据器件测试项目系数Device Test Bin、光刻系数Litho Coefficient和工艺技术系数Technology Coefficient计算所述产品的芯片制造过程的复杂度系数N；S4、根据芯片的产品良率Wafer Yield、面积Die Area及复杂度系数N计算缺陷密度D0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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