[发明专利]一种提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺

摘要

本发明公开了一种提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤：(1)先将扩散后的硅片采用HF清洗，去掉磷硅玻璃，然后用去离子水清洗；(2)将去掉磷硅玻璃的硅片用HNO3、HF、H2SO4、H3PO4混合溶液对硅片表面进行腐蚀，将重掺杂区腐蚀掉，然后用去离子水清洗；(3)用NaOH溶液清洗硅片，去掉步骤(2)中产生的多孔硅，进一步提高方阻，然后用去离子水清洗；(4)用HF、HCl混合溶液对硅片进行清洗，去除金属离子，然后去离子水清洗。这种提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺降低了表面掺杂浓度，去除了表面死层，提高方块电阻以及电池开路电压和短波响应，从而提高电池效率。

主权项

一种提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺，其特征是，包括以下步骤：(1)先将扩散后的硅片采用HF清洗，去掉磷硅玻璃，然后用去离子水清洗；(2)将去掉磷硅玻璃的硅片用HNO3、HF、H2SO4、H3PO4混合溶液对硅片表面进行腐蚀，特别是腐蚀产生的NO气体对硅片表面进行腐蚀，将重掺杂区腐蚀掉，方阻再提升5‑7 Ω/□左右，然后用去离子水清洗，背表面有趋于弱抛光状态，更平整；(3)用NaOH溶液清洗硅片，去掉步骤(2)中产生的多孔硅，进一步提高方阻，然后用去离子水清洗；(4)用HF、HCl混合溶液对硅片进行清洗，去除金属离子，然后去离子水清洗。