[发明专利]用于制造半导体装置的方法和半导体装置有效
| 申请号： | 201210281066.3 | 申请日： | 2012-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102956448A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 彼得·伊尔西格勒;托马斯·奈德哈特;京特·沙格尔;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/304;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/861;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体装置的方法。在此，通过半导体本体（100 ）的第一侧面（101）向半导体本体（100）内注入掺杂物。然后在该半导体本体（100 ）的第一侧面（101 ）上形成漂移区层（110）。然后从与半导体本体（100 ）的第一侧面（101）相对置的第二侧面（102 ）对该半导体本体（100 ）进行材料去除，直至由掺杂物定义的pn过渡区，或者说由pn过渡区延展得出的空间电荷区，或者由掺杂物定义的掺杂物集中区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体装置的方法，包括：通过半导体本体（100）的第一侧面（101）向所述半导体本体（100）内注入掺杂物（105）；并且然后在所述半导体本体（100）的所述第一侧面（101）上形成漂移区层（110）；并且从与所述半导体本体（100）的所述第一侧面（101）相对置的第二侧面（102）对所述半导体本体（100）进行材料去除，直至由所述掺杂物（105）定义的pn过渡区，或者说由所述pn过渡区限定得出的空间电荷区，或者由所述掺杂物定义的掺杂物集中区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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