[发明专利]硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压改进方法有效
| 申请号： | 201210287745.1 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103066103A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 陈祈铭;刘柏均;林宏达;张晋诚;喻中一;蔡嘉雄;黃和涌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电路结构包括：衬底；未掺杂氮化铝的成核层；包含铝、镓、氮、硅和氧之一、和p型导电性掺杂剂的梯度缓冲层；包含镓、氮、硅和氧之一、和不包括铝的p型导电性掺杂剂的非梯度缓冲层；以及位于非梯度缓冲层上方的未掺杂氮化镓的块状层。梯度缓冲层和非梯度缓冲层中的各种掺杂剂提高了电阻率，并且生成了具有本征平衡导电性的层。本发明还提供了硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压改进方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 iii 氮化物 击穿 电压 改进 方法 | ||
【主权项】：
一种电路结构，包括：硅衬底；成核层，未掺杂氮化铝，位于所述硅衬底上方；缓冲层，包含镓、氮、硅和氧之一、和p型导电性掺杂剂，位于所述成核层上方；以及块状层，未掺杂氮化镓，位于所述缓冲层上方。
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