[发明专利]超高亮度发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210287977.7 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102779913A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 戴菁甫;张君逸;界晓菲 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高亮度发光二极管及其制备方法，其解决了上述AlInGaP四元系LED结构中亮度与电性难以同时兼顾的问题。一种超高亮度发光二极管，包括：导电基板，其具有两个主表面；反射层，形成于所述导电基板的第一主表面上；p-GaP窗口层，形成于所述反射层之上，其厚度小于或等2um；p型限制层，形成于所述p-GaP窗口层之上；发光层，形成于所述p型限制层之上；n型限制层，形成于所述发光层之上；n电极，形成于所述n型限制层之上；p电极，形成于所述导电基板的第二主表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 亮度 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
超高亮度发光二极管，包括：导电基板，其具有正、反两主表面；反射层，位于所述基板的正表面之上；P型GaP窗口层，位于所述反射层之上，其厚度小于或等于2um，用于扩展电流的同时避免光在传导过程中的散射损失；发光外延层，位于所述P型GaP窗口层之上，其至下而上为p型限制层、发光层、n型限制层。
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