[发明专利]一种CDMOS工艺以及制作方法有效
| 申请号： | 201210288958.6 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103594491A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李天贺;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/06;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CDMOS工艺以及制作方法，其主要内容包括：将现有技术中CDMOS工艺中的耗尽型NMOS器件用PMOS器件代替，为了实现这种替代，在制作工艺上，增加了N型隔离阱，所述N型隔离阱处于P型隔离阱的空间内，并将增加的PMOS器件处于N型隔离阱内工作，由于PMOS器件是增强型器件，只有在PMOS器件栅极电压值达到设定的开启电压值时才进行工作，否则PMOS器件不工作，与现有的耗尽型NMOS器件相比，可避免耗尽型NMOS器件在不工作的状态下静态漏电流偏大导致芯片待机功耗偏大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdmos 工艺 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
一种CDMOS工艺平台，包括：N型衬底和N型外延、P型隔离阱、P隔离环、VDMOS体区、N型源漏及引线区、P型源漏及引线区、栅极氧化层、多晶硅栅极、场隔离氧化层、N型或P型场隔离和增强型NMOS管，其特征在于，所述CDMOS工艺还包括：N型隔离阱和PMOS器件，其中：PMOS器件处于N型隔离阱中，所述N型隔离阱处于P型隔离阱内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210288958.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：塑编弹簧、软边新型钢架床网
- 下一篇：一种安全手套
- 同类专利
- 专利分类
