[发明专利]LDMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210289301.1 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103594492A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 郑大燮;魏琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LDMOS晶体管及其形成方法，其中所述LDMOS晶体管包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有漂移区、与漂移区相邻的阱区；位于所述阱区内的源区；位于所述漂移区内的漏区；位于所述漂移区内的隔离结构，所述隔离结构位于所述漏区和所述源区之间，所述隔离结构的下表面沿所述LDMOS的沟道方向的宽度大于上表面沿所述LDMOS的沟道方向的宽度；位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述阱区和部分所述隔离结构。本发明的LDMOS晶体管击穿电压高。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有漂移区、与漂移区相邻的阱区；位于所述阱区内的源区；位于所述漂移区内的漏区；位于所述漂移区内的隔离结构，所述隔离结构位于所述漏区和所述源区之间，所述隔离结构的下表面沿所述LDMOS的沟道方向的宽度大于上表面沿所述LDMOS的沟道方向的宽度；位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述阱区和部分所述隔离结构。
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