[发明专利]一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210290113.0 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102779853A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 林曦;陈帆;刘梅;季伟;徐向明;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制造方法。本发明先在半导体衬底之上外延生长锗硅外延层，然后再在锗硅外延层上制备隧穿晶体管，所得到的隧穿晶体管具有高的开关电流，而且，本发明所提出的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管的制造方法与传统的CMOS工艺兼容，工艺过程简单，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 外延 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管，包括：在半导体衬底表面之上形成的锗硅外延层；在所述锗硅外延层和所述半导体衬底内形成的具有第一种掺杂类型的源区；在所述锗硅外延层和所述半导体衬底内形成的具有第二种掺杂类型的漏区；其特征在于，在所述锗硅外延层内介于所述源区与所述漏区之间形成的沟道区域；在所述沟道区域之上形成的栅介质层；在所述栅介质层之上形成的栅极导电层；通过调节所述的栅极上的电压实现调控所述源区和漏区之间的隧穿载流子产生率。
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