[发明专利]增进沟道阈值电压稳定性的方法有效
| 申请号： | 201210290691.4 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103594339A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 吴智华;胡巍强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种增进沟道阈值电压稳定性的方法，该方法包括：提供基底，所述基底具有N阱区、P阱区和浅槽隔离，所述浅槽隔离用于隔离所述N阱区和所述P阱区，所述N阱区和所述P阱区表面自下至上具有氧化物层和氮化物层；去除所述氮化物层，以露出所述氧化物层，露出的所述氧化物层形成剩余氧化物层，形成补偿氧化层；对所述剩余氧化物层进行氧化处理，以形成补偿氧化层。本发明的增进沟道阈值电压稳定性的方法，能够保证器件沟道阈值电压具有较佳的稳定性，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 增进 沟道 阈值 电压 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种增进沟道阈值电压稳定性的方法，包括：提供基底，所述基底具有N阱区、P阱区和浅槽隔离，所述浅槽隔离用于隔离所述N阱区和所述P阱区，所述N阱区和所述P阱区表面自下至上具有氧化物层和氮化物层；去除所述氮化物层，以露出所述氧化物层，露出的所述氧化物层形成剩余氧化物层；对所述剩余氧化物层进行氧化处理，以形成补偿氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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