[发明专利]基于宽I/O DRAM的2.5D/3D系统芯片的DRAM修复架构有效
| 申请号： | 201210291516.7 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102956271A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 桑迪·库马·戈埃尔;黄智强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于宽I/O DRAM的2.5D/3D系统芯片的DRAM修复架构。2.5D或3D修复架构包括逻辑管芯和存储器管芯。在2.5D架构中，逻辑管芯和存储器管芯安装在中介层上。在3D架构中，存储器管芯安装在逻辑管芯上。逻辑具有被处理器测试外壳包裹的控制逻辑。处理器测试外壳启动控制逻辑的测试部件。控制逻辑进一步包括宽输入/输出控制器、内置修复分析器(BIRA)以及修复控制器。利用修复架构的方法提供了修复存储器设备的故障列和行的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 dram 2.5 系统 芯片 修复 架构 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：宽输入/输出控制器，被配置成通过物理层与动态随机存取存储器(DRAM)通道进行通信；内置修复分析器(BIRA)，被配置成收集来自所述宽输入/输出控制器的通信故障数据，并且进一步被配置成分析所述故障数据以确定所述DRAM通道中的动态随机存取存储器的故障列和行；以及修复控制器，被配置成生成修复所述动态随机存取存储器的故障列和行的指令。
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