[发明专利]操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法无效

专利信息
申请号: 201210298165.2 申请日: 2012-08-21
公开(公告)号: CN102956263A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 张晚;金英培;金昌桢;李明宰;朴晟准;许智贤;李东洙;李昌范;李承烈 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C16/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 根据示例实施例,一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括:向可变电阻器件施加第一电压以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为与第一电阻值不同的第二电阻值;感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流;基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压;以及向可变电阻器件施加确定的第二电压。
搜索关键词: 操作 包括 可变 电阻 器件 半导体器件 方法
【主权项】:
一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法,该方法包括:第一操作,向可变电阻器件施加第一电压,以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值,第二电阻值与第一电阻值不同;第二操作,感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流;第三操作,确定该第一电流是否落入与多电平数据的电平对应的测试范围之内;第四操作,当该第一电流落入该测试范围之内时,基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压;第五操作,向该可变电阻器件施加该第二电压;以及第六操作,重复向被施加该第二电压的可变电阻器件施加该第一电压。
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