[发明专利]一种基于LTCC基板薄膜多层布线制作方法有效
申请号: | 201210303440.5 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN102856213A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 方澍;田昊;余飞;徐姗姗;刘昕 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/768 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215163 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于LTCC基板薄膜多层布线制作方法,包括如下步骤:对LTCC多层基板抛磨;高温处理;在LTCC基板背面溅射一层钛和铜;第一次光刻,形成导带图形;用CF4和O2对LTCC基板进行等离子打胶处理;溅射粘附层Ti和种子层Cu,电镀Cu导带;第二次光刻,形成通孔柱图形;电镀Cu通孔柱,并在Cu表面电镀一层Ni膜;用剥离液去除光刻胶和剥离光刻胶上多余的金属层Ti和Cu;旋涂聚酰亚胺,形成胺膜介质层;对LTCC基板上的聚酰亚胺进行抛磨,露出Cu通孔柱表面;重复第一次光刻至抛磨后露出Cu通孔柱表面间步骤,在LTCC基板上制作出薄膜多层布线结构。本发明的工艺方法简单、操作方便、布线密度高,布线质量可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 ltcc 薄膜 多层 布线 制作方法 | ||
【主权项】:
一种基于LTCC基板薄膜多层布线制作方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将LTCC多层基板正面抛光并清洗干净;(2)将抛磨后的LTCC基板放在烧结炉中进行工艺处理;(3)在LTCC基板背面溅射一层粘附层钛Ti和导电层金属铜Cu,形成电镀时的导电层;(4)对基板进行第一次光刻,形成导带图形,作为主导体层的电镀模具;(5)用CF4和O2对LTCC基板进行等离子打胶处理;(6)溅射粘附层Ti和种子层Cu,电镀Cu导带;(7)对基板进行第二次光刻,形成通孔柱图形;(8)电镀Cu柱,形成第一层金属柱,并在Cu表面电镀一层镍膜;(9)用剥离液去除光刻胶和剥离光刻胶上多余的粘附层钛Ti和种子层Cu,形成薄膜多层布线中第一层的金属Cu布线和第一层与第二层间连接的Cu通孔柱;(10)旋涂聚酰亚胺,在呈阶梯状温度下使之固化,形成胺膜介质层;(11)对LTCC基板上的聚酰亚胺表面进行机械抛磨,使之平整,并露出Cu柱表面,以便与下一层布线互连;(12)重复步骤(4)~(11),即可在LTCC基板上制作出薄膜多层布线结构;(13)用光刻胶保护基板正面图形,用湿法腐蚀掉LTCC基板背面溅射的导电层金属铜Cu和粘附层钛Ti,然后用剥离液去除保护正面的光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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