[发明专利]一种半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210304223.8 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103632972A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎;赵超;杨达;罗军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明提供一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个衬底，在所述衬底上形成栅堆叠，并在所述衬底之中形成源/漏区；刻蚀所述源/漏区，以形成沟槽；在刻蚀后的所述源/漏区的表面上形成接触层；在所述沟槽内形成应力产生材料层；沉积层间介质层，并形成与所述应力产生材料相接触的接触塞。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过刻蚀源/漏区形成沟槽，以增加所述源/漏区暴露的区域，然后在所述源/漏区的表面上形成接触层，并在所述沟槽内填充应力产生材料，在有效地减小了源/漏区与接触层之间接触电阻的同时，还向沟道中引入了应力，改善了沟道中载流子的迁移率，从而提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供一个衬底(100)，在所述衬底(100)上形成栅堆叠，并在所述衬底（100）之中形成源/漏区(110)；b)刻蚀所述源/漏区(110)，以形成沟槽；c)在刻蚀后的所述源/漏区(110)的表面上形成接触层(112)；d)在所述沟槽内形成应力产生材料层（113）；e)沉积层间介质层(300)，并形成与所述应力产生材料相接触的接触塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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